國家智慧財產權局資訊顯示，賀利氏電子有限兩合公司申請一項名為“襯底佈置、用於生產電子元件的方法以及電子元件”的專利，公開號CN122497382A，申請日期為2026年1月電子。
專利摘要顯示，本發明涉及一種襯底佈置，涉及一種用於生產電子元件的方法，並且涉及一種電子元件電子。該襯底佈置包括：(a)金屬箔，該金屬箔包括金屬箔上側和金屬箔下側，其中該金屬箔包括銅層，該銅層具有銅層上側和銅層下側，其中該金屬箔上側由該銅層上側形成；和(b)接觸層，該接觸層佈置在該金屬箔下側上，並且其中該銅層上側具有在10原子百分比至30原子百分比的範圍內的氧含量。
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